晶体管 ST STF11NM80
MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP
品牌:ST
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阈值电压Vgs(th)
5V@250µA
FET类型
N沟道
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)
400毫欧@5.5A,10V
漏源极电压(Vdss)
800V
是否无铅
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
零件状态
在售
栅极电荷(Qg)(Max)
43.6nC
工作温度(Tj)
-65°C~150°C
安装类型
通孔(THT)
封装/外壳
SOT78,TO-220AB,SC-46