阈值电压Vgs(th) 1.7V@250µA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 7.9毫欧@14A，8V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 含铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

导通电阻Rds On(Max) 7.9mΩ

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

阈值电压Vgs(th) 1.8V@250µA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 2.9毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 含铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

导通电阻Rds On(Max) 2.9mΩ

输入电容(Ciss)(Max) 2630pF

功率(Max) 3.2W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 7.9毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 120V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 120V

连续漏极电流Id@25℃ 70A

栅极电荷(Qg)(Max) 167nC

输入电容(Ciss)(Max) 9473pF

功率(Max) 349W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 通孔(THT)

封装/外壳 SOT-226

阈值电压Vgs(th) 2.1V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 3.9毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 60V

是否无铅 不受无铅要求限制 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 60V

连续漏极电流Id@25℃ 130A

导通电阻Rds On(Max) 3.9mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 151nC

输入电容(Ciss)(Max) 8533pF

功率(Max) 263W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 通孔(THT)

封装/外壳 SOT78，TO-220AB,SC-46

阈值电压Vgs(th) 2.2V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 7.6毫欧@15A，10V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 57A

导通电阻Rds On(Max) 7.6mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 17nC

输入电容(Ciss)(Max) 982pF

功率(Max) 45W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-1210，8-LFPAK33

阈值电压Vgs(th) 2.2V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 5.69毫欧@15A，10V

漏源极电压（Vdss） 25V

是否无铅 不受无铅要求限制 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 25V

连续漏极电流Id@25℃ 70A

导通电阻Rds On(Max) 5.69mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 12.4nC

输入电容(Ciss)(Max) 858pF

功率(Max) 47W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-669,LFPAK,Power-SO8)

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 8.7毫欧@10A，10V

漏源极电压（Vdss） 80V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 73V

连续漏极电流Id@25℃ 90A

导通电阻Rds On(Max) 8.7mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 52nC

输入电容(Ciss)(Max) 3346pF

功率(Max) 170W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK

阈值电压Vgs(th) 2.15V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 4.1毫欧@15A，10V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 100A

导通电阻Rds On(Max) 4.1mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 41.5nC

输入电容(Ciss)(Max) 2400pF

功率(Max) 103W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK

阈值电压Vgs(th) 1.95V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 8.65毫欧@15A，10V

漏源极电压（Vdss） 25V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 25V

连续漏极电流Id@25℃ 55A

导通电阻Rds On(Max) 8.65mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 11.7nC

输入电容(Ciss)(Max) 705pF

功率(Max) 45W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-1210，8-LFPAK33

阈值电压Vgs(th) 2.2V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 6.3毫欧@15A，10V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 66A

导通电阻Rds On(Max) 6.3mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 19nC

输入电容(Ciss)(Max) 832pF

功率(Max) 51W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-1210，8-LFPAK33