阈值电压Vgs(th) 1.8V@250µA

漏极电流Idss 250A

FET类型 N沟道

漏源极电压（Vdss） 30V

漏源电压(Vdss) 30V

导通电阻Rds On(Max) 1.8mΩ

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 TO-263

阈值电压Vgs(th) 720mV@250µA

漏极电流Idss 11A

FET类型 N+N沟道

漏源极电压（Vdss） 20V

漏源电压(Vdss) 20V

导通电阻Rds On(Max) 10mΩ

功率(Max) 1.5W

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOP-8

阈值电压Vgs(th) 700mV@250µA

漏极电流Idss 5A

FET类型 N沟道

漏源极电压（Vdss） 20V

漏源电压(Vdss) 12V

导通电阻Rds On(Max) 25mΩ

功率(Max) 1.25W

封装/外壳 SOT-23

阈值电压Vgs(th) 1.2V@250µA

漏极电流Idss -3A

FET类型 P沟道

漏源极电压（Vdss） -20V

漏源电压(Vdss) 20V

导通电阻Rds On(Max) 85mΩ

功率(Max) 1W

阈值电压Vgs(th) 3V@250µA

漏极电流Idss -10A

FET类型 P沟道

漏源极电压（Vdss） -30V

漏源电压(Vdss) 30V

导通电阻Rds On(Max) 14mΩ

功率(Max) 3W

封装/外壳 SOP-8

阈值电压Vgs(th) 750mV@250µA

漏极电流Idss 2.8A

FET类型 N沟道

漏源极电压（Vdss） 20V

漏源电压(Vdss) 20V

导通电阻Rds On(Max) 58mΩ

功率(Max) 900mW

封装/外壳 SOT-23

阈值电压Vgs(th) 1V@250µA

漏极电流Idss 3.6A

FET类型 N沟道

漏源极电压（Vdss） 20V

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 5.8A

导通电阻Rds On(Max) 43mΩ

功率(Max) 1.4W

阈值电压Vgs(th) 1V@250µA

漏极电流Idss 8.58A

FET类型 N+N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 14.5毫欧@9.4A，4.5V

漏源极电压（Vdss） 20V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 20V

连续漏极电流Id@25℃ 8.58A

导通电阻Rds On(Max) 14.5mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 16.5nC

输入电容(Ciss)(Max) 1495pF

功率(Max) 880mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 TSSOP-8

阈值电压Vgs(th) 2.5V@250µA

漏极电流Idss 50A

FET类型 N沟道

漏源极电压（Vdss） 100V

漏源电压(Vdss) 100V

导通电阻Rds On(Max) 17mΩ

功率(Max) 80W

封装/外壳 TO-220

阈值电压Vgs(th) 2V@250µA

FET类型 N沟道

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 20A

导通电阻Rds On(Max) 3.6mΩ

功率(Max) 3.6W

封装/外壳 PDFN3333