阈值电压Vgs(th) 2.2V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 7.24毫欧@15A，10V

漏源极电压（Vdss） 25V

是否无铅 不受无铅要求限制 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 25V

连续漏极电流Id@25℃ 60A

导通电阻Rds On(Max) 7.24mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 10.7nC

输入电容(Ciss)(Max) 702pF

功率(Max) 42W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-1210，8-LFPAK33

阈值电压Vgs(th) 1.95V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 6.5毫欧@20A，10V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 71A

导通电阻Rds On(Max) 6.5mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 19nC

输入电容(Ciss)(Max) 1088pF

功率(Max) 58W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-669,LFPAK,Power-SO8)

阈值电压Vgs(th) 2.2V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 6.75毫欧@15A，10V

漏源极电压（Vdss） 25V

是否无铅 不受无铅要求限制 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 25V

连续漏极电流Id@25℃ 61A

导通电阻Rds On(Max) 6.75mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 10.5nC

输入电容(Ciss)(Max) 705pF

功率(Max) 43W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-669,LFPAK,Power-SO8)

阈值电压Vgs(th) 2.1V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 5.6毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 60V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 60V

连续漏极电流Id@25℃ 100A

导通电阻Rds On(Max) 5.6mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 66.8nC

输入电容(Ciss)(Max) 5026pF

功率(Max) 167W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-669,LFPAK,Power-SO8)

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 5.6毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 100V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 100V

连续漏极电流Id@25℃ 100A

导通电阻Rds On(Max) 5.6mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 141nC

输入电容(Ciss)(Max) 8061pF

功率(Max) 306W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 通孔(THT)

封装/外壳 SOT78，TO-220AB,SC-46

阈值电压Vgs(th) 0.9V@250µA

FET类型 N沟道

漏源电压(Vdss) 20V

连续漏极电流Id@25℃ 8.7A

导通电阻Rds On(Max) 21mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 28nC

输入电容(Ciss)(Max) 105pF

功率(Max) 556mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 WLCSP-6 ,WLCSP6-3-2

阈值电压Vgs(th) 950mV@250µA

FET类型 N+N沟道

漏源电压(Vdss) 20V

连续漏极电流Id@25℃ 800mA

导通电阻Rds On(Max) 380mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 0.68nC

输入电容(Ciss)(Max) 83pF

功率(Max) 500mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-666-6

阈值电压Vgs(th) 4V@250µA

漏极电流Idss 24A

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 140毫欧@12A，10V

漏源极电压（Vdss） 650V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 650V

导通电阻Rds On(Max) 140mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 41.5nC

输入电容(Ciss)(Max) 1790pF

工作温度(Tj) 150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK

阈值电压Vgs(th) 950mV@250µA

FET类型 N+P沟道

漏源电压(Vdss) 20V

连续漏极电流Id@25℃ 800mA

导通电阻Rds On(Max) 380mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 0.68nC

输入电容(Ciss)(Max) 83pF

功率(Max) 390mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-666-6

阈值电压Vgs(th) -

FET类型 P沟道

漏源电压(Vdss) 20V

连续漏极电流Id@25℃ 7.3A

导通电阻Rds On(Max) 30mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 29nC

输入电容(Ciss)(Max) 1420pF

功率(Max) 556mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 WLCSP-6 ,WLCSP6-3-2