晶体管类型 PNP

Vce饱和压降(Max) 500mV

DC电流增益(hFE)(Min&Range) 40

集电极电流Ic(Max) 8000mA

功率(Max) 50W

跃迁频率 20MHz

工作温度(Tj) 150°C

安装类型 通孔(THT)

晶体管类型 NPN

Vce饱和压降(Max) 1000mV

DC电流增益(hFE)(Min&Range) 35

集电极电流Ic(Max) 15000mA

集射极击穿电压Vce(Max) 100V

功率(Max) 83W

跃迁频率 50MHz

工作温度(Tj) 150°C

安装类型 通孔(THT)

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

集电极电流Ic(Max) 100mA

集射极击穿电压Vce(Max) 50V

功率(Max) 150mW

跃迁频率 250MHz

安装类型 表面贴装(SMT)

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

晶体管类型 NPN

Vce饱和压降(Max) -

集电极电流Ic(Max) 1000mA

集射极击穿电压Vce(Max) 150V

功率(Max) 3.8W

跃迁频率 -

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-428,DPAK

封装/外壳 SOT-23

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 不可用于新设计

晶体管类型 NPN

集电极电流Ic(Max) 1000mA

集射极击穿电压Vce(Max) 80V

功率(Max) 2W

跃迁频率 100MHz

工作温度(Tj) 150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

元件生命周期 Active

存储温度 -65~+150℃

原产国家 China

原始制造商 Inchange Semiconductor Company Limited

品牌 Iscsemi

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

晶体管类型 NPN

Vce饱和压降(Max) 1.5V

DC电流增益(hFE)(Min&Range) 10

安装类型 DIP

封装/外壳 TO-220C

封装/外壳 SOT-23-3

晶体管类型 PNP

Vce饱和压降(Max) 670mV

DC电流增益(hFE)(Min&Range) 100

集电极电流Ic(Max) 600mA

集射极击穿电压Vce(Max) 40V

功率(Max) 250mW

跃迁频率 200MHz

工作温度(Tj) 150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23

晶体管类型 NPN

Vce饱和压降(Max) -

DC电流增益(hFE)(Min&Range) 25

集电极电流Ic(Max) 5000mA

集射极击穿电压Vce(Max) 35V

功率(Max) 4W

跃迁频率 -

工作温度(Tj) -60°C~175°C

安装类型 通孔(THT)

封装/外壳 TO-220