2N沟道 VDS=60V VGS=±20V ID=15A P=30W 2通路
品牌:AsiaChip
历史库存:3000
历史单价:1.35000(最新价格请咨询)
阈值电压Vgs(th) 1.5V@250µA
FET类型 N+N沟道
漏源电压(Vdss) 60V
导通电阻Rds On(Max) 25mΩ
功率(Max) 30W
2P沟道 VDS=-30V VGS=±20V ID=-5A P=2W 2通路
历史单价:0.49500(最新价格请咨询)
阈值电压Vgs(th) 1.9V@250µA
FET类型 P+P沟道
漏源电压(Vdss) 30V
导通电阻Rds On(Max) 81.4mΩ
功率(Max) 2W
N沟道 VDS=30V VGS=±8V ID=900mA P=360mW
品牌:Nexperia
历史库存:0
历史单价:0
阈值电压Vgs(th) 1.05V@250µA
FET类型 N沟道
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) 490毫欧@500mA,4.5V
漏源极电压(Vdss) 30V
是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
零件状态 在售
连续漏极电流Id@25℃ 900mA
导通电阻Rds On(Max) 490mΩ
栅极电荷(Qg)(Max) 1.16nC
输入电容(Ciss)(Max) 78pF
功率(Max) 360mW
工作温度(Tj) -55°C~150°C
安装类型 表面贴装(SMT)
封装/外壳 SOT-883B,DFN1006B-3
P沟道 VDS=-30V VGS=±12V ID=-2.6A P=1.4W
历史库存:2410
历史单价:0.12000(最新价格请咨询)
阈值电压Vgs(th) 1.1V@250µA
FET类型 P沟道
导通电阻Rds On(Max) 165mΩ
功率(Max) 1.4W
2N沟道 VDS=20V VGS=±12V ID=7.6A P=2W 2通路
历史单价:0.30000(最新价格请咨询)
阈值电压Vgs(th) 800mV@250µA
漏源电压(Vdss) 20V
导通电阻Rds On(Max) 34mΩ
P沟道 VDS=-20V VGS=±8V ID=-5A P=1.5W
历史单价:0.28500(最新价格请咨询)
阈值电压Vgs(th) 0.7V@250uA
导通电阻Rds On(Max) 53mΩ
功率(Max) 1.5W
P沟道 VDS=-30V VGS=±12V ID=-4A P=1.4W
历史单价:0.25500(最新价格请咨询)
阈值电压Vgs(th) 1V@250µA
导通电阻Rds On(Max) 66mΩ
2N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=6A P=2W 2通路
历史单价:0.52500(最新价格请咨询)
阈值电压Vgs(th) 1.8V@250µA
导通电阻Rds On(Max) 46.2mΩ
P沟道 VDS=-30V VGS=±25V ID=-10.5A P=3.1W
历史单价:0.72800(最新价格请咨询)
阈值电压Vgs(th) 2.3V@250µA
导通电阻Rds On(Max) 39.6mΩ
功率(Max) 3.1W
P沟道 VDS=-30V VGS=±25V ID=-12A P=3.1W
历史单价:0.71400(最新价格请咨询)
导通电阻Rds On(Max) 18.7mΩ