阈值电压Vgs(th) 500mV@250µA

漏极电流Idss -5.6A

FET类型 P沟道

漏源极电压（Vdss） -20V

漏源电压(Vdss) 20V

导通电阻Rds On(Max) 42mΩ

功率(Max) 1W

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23-3L

阈值电压Vgs(th) 450mV@250µA（最小）

漏极电流Idss -0.35A

FET类型 P沟道

漏源极电压（Vdss） -20V

漏源电压(Vdss) 20V

导通电阻Rds On(Max) 1.2Ω

功率(Max) 150mW

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-523

阈值电压Vgs(th) 1.5V@250µA

漏极电流Idss 2.1A

FET类型 N沟道

漏源极电压（Vdss） 60V

漏源电压(Vdss) 60V

导通电阻Rds On(Max) 110mΩ

功率(Max) 1.25W

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23-3L

阈值电压Vgs(th) 850mV@250µA

漏极电流Idss 4.4A

FET类型 N沟道

漏源极电压（Vdss） 20V

漏源电压(Vdss) 20V

导通电阻Rds On(Max) 50mΩ

功率(Max) 1W

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23-3L

阈值电压Vgs(th) 850mV@250µA

漏极电流Idss 3A

FET类型 N沟道

漏源极电压（Vdss） 20V

漏源电压(Vdss) 20V

导通电阻Rds On(Max) 60mΩ

功率(Max) 1W

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23-3L

阈值电压Vgs(th) 600mV@250µA

漏极电流Idss 7.2A

FET类型 N+N沟道

漏源极电压（Vdss） 20V

漏源电压(Vdss) 20V

导通电阻Rds On(Max) 16mΩ

功率(Max) 1.4W

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23-6L

阈值电压Vgs(th) 800mV@250µA

漏极电流Idss 2A

FET类型 N沟道

漏源极电压（Vdss） 20V

漏源电压(Vdss) 20V

导通电阻Rds On(Max) 65mΩ

功率(Max) 400mW

安装类型 表面贴装(SMT)

阈值电压Vgs(th) 1.5V@250µA

漏极电流Idss 200mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 3.5欧姆@220mA，10V

漏源极电压（Vdss） 50V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 50V

连续漏极电流Id@25℃ 200mA

导通电阻Rds On(Max) 3.5Ω

栅极电荷(Qg)(Max) -

输入电容(Ciss)(Max) 50pF

功率(Max) 200mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-323

阈值电压Vgs(th) 1.75V@250µA

漏极电流Idss 300mA

FET类型 N沟道

漏源极电压（Vdss） 60V

漏源电压(Vdss) 60V

连续漏极电流Id@25℃ 310mA

导通电阻Rds On(Max) 1.6Ω

功率(Max) 0.83W

安装类型 表面贴装(SMT)

阈值电压Vgs(th) 1.2V@250µA

漏极电流Idss 3.7A

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 65毫欧@3.7A，4.5V

漏源极电压（Vdss） 20V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 20V

导通电阻Rds On(Max) 65mΩ

功率(Max) 1300mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23-3(SC-59,TO_236_3)