阈值电压Vgs(th) 2.1V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 2.7毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 40V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 Digi-Key已不再提供

漏源电压(Vdss) 40V

连续漏极电流Id@25℃ 100A

导通电阻Rds On(Max) 2.7mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 69.5nC

输入电容(Ciss)(Max) 9150pF

功率(Max) 234W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK

阈值电压Vgs(th) 2.1V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 36毫欧@10A，10V

漏源极电压（Vdss） 100V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 Digi-Key已不再提供

漏源电压(Vdss) 100V

连续漏极电流Id@25℃ 310A

导通电阻Rds On(Max) 36mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 22.8nC

输入电容(Ciss)(Max) 2681pF

功率(Max) 96W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK

阈值电压Vgs(th) 950mV@250µA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 470毫欧@900mA，4.5V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 900mA

导通电阻Rds On(Max) 470mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 1.3nC

输入电容(Ciss)(Max) 41pF

功率(Max) 350mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-883B,DFN1006B-3

阈值电压Vgs(th) 950mV@250µA

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 1.4欧姆@500mA，4.5V

漏源极电压（Vdss） 20V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 20V

连续漏极电流Id@25℃ 500mA

导通电阻Rds On(Max) 1.4Ω

栅极电荷(Qg)(Max) 2.1nC

输入电容(Ciss)(Max) 43pF

功率(Max) 360mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-883B,DFN1006B-3

阈值电压Vgs(th) 1.5V@250µA

FET类型 N+N沟道

漏源电压(Vdss) 60V

导通电阻Rds On(Max) 25mΩ

功率(Max) 30W

阈值电压Vgs(th) 1.9V@250µA

FET类型 P+P沟道

漏源电压(Vdss) 30V

导通电阻Rds On(Max) 81.4mΩ

功率(Max) 2W

阈值电压Vgs(th) 1.05V@250µA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 490毫欧@500mA，4.5V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 900mA

导通电阻Rds On(Max) 490mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 1.16nC

输入电容(Ciss)(Max) 78pF

功率(Max) 360mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-883B,DFN1006B-3

阈值电压Vgs(th) 1.1V@250µA

FET类型 P沟道

漏源电压(Vdss) 30V

导通电阻Rds On(Max) 165mΩ

功率(Max) 1.4W

阈值电压Vgs(th) 800mV@250µA

FET类型 N+N沟道

漏源电压(Vdss) 20V

导通电阻Rds On(Max) 34mΩ

功率(Max) 2W

阈值电压Vgs(th) 0.7V@250uA

FET类型 P沟道

漏源电压(Vdss) 20V

导通电阻Rds On(Max) 53mΩ

功率(Max) 1.5W