N沟道 VDS=30V VGS=±25V ID=12A P=1.5W
品牌:Vishay
历史库存:2817
历史单价:2.55517(最新价格请咨询)
阈值电压Vgs(th) 2.5V@250µA
漏极电流Idss 12A
FET类型 N沟道
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) 24毫欧@7.8A,10V
漏源极电压(Vdss) 30V
是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
零件状态 在售
漏源电压(Vdss) 30V
导通电阻Rds On(Max) 24mΩ
功率(Max) 3.2W
工作温度(Tj) -55°C~150°C
安装类型 表面贴装(SMT)
N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=5.8A
品牌:JCET
历史库存:4950
历史单价:0.23246(最新价格请咨询)
阈值电压Vgs(th) 3V@250µA
漏极电流Idss 5.8A
连续漏极电流Id@25℃ 5.8A
导通电阻Rds On(Max) 30mΩ
封装/外壳 SOT-23-3(SC-59,TO_236_3)
N沟道 VDS=20V VGS=±8V ID=2.1A P=350mW
历史库存:4457
历史单价:0.18757(最新价格请咨询)
阈值电压Vgs(th) 1.2V@50µA
漏极电流Idss 2.1A
漏源极电压(Vdss) 20V
漏源电压(Vdss) 20V
导通电阻Rds On(Max) 60mΩ
功率(Max) 350mW
P沟道 VDS=-30V VGS=±12V ID=-4.2A P=350mW
历史库存:5
历史单价:0.23551(最新价格请咨询)
阈值电压Vgs(th) 1.3V@250µA
漏极电流Idss 4.2A
FET类型 P沟道
导通电阻Rds On(Max) 65mΩ
MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23
品牌:Nexperia
历史库存:13
历史单价:0.27294(最新价格请咨询)
阈值电压Vgs(th) 1.25V@250µA
漏极电流Idss -3.5A
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) 55毫欧@2.4A,4.5V
连续漏极电流Id@25℃ 3.5A
导通电阻Rds On(Max) 55mΩ
栅极电荷(Qg)(Max) 11nC
输入电容(Ciss)(Max) 1000pF
功率(Max) 510mW
封装/外壳 SOT-23,TO-236AB
P沟道 VDS=-3V VGS=±8V ID=-3A
品牌:SK
历史库存:2960
历史单价:0.14703(最新价格请咨询)
阈值电压Vgs(th) 1.5V@250µA
漏极电流Idss 3A
漏源极电压(Vdss) 16V
漏源电压(Vdss) 16V
导通电阻Rds On(Max) 160mΩ
2N沟道 VDS=60V VGS=±20V ID=115mA P=150mW 2通路
历史库存:513
历史单价:0.27100(最新价格请咨询)
漏极电流Idss 115mA
FET类型 N+N沟道
漏源极电压(Vdss) 60V
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流Id@25℃ 115mA
功率(Max) 150mW
N沟道 VDS=60V VGS=±20V ID=320mA P=500mW
品牌:DIODES
历史库存:2675
历史单价:0.55645(最新价格请咨询)
阈值电压Vgs(th) 1V@250µA
漏极电流Idss 100mA
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) 2欧姆@100mA,4V
连续漏极电流Id@25℃ 320mA
导通电阻Rds On(Max) 2Ω
栅极电荷(Qg)(Max) 0.9nC
输入电容(Ciss)(Max) 64pF
功率(Max) 500mW
封装/外壳 X2-DFN1006-3
2N沟道 VDS=40V VGS=±20V ID=7A P=1.3W 2通路
历史库存:149
历史单价:2.17323(最新价格请咨询)
漏极电流Idss 7A
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) 24毫欧@6A,10V
漏源极电压(Vdss) 40V
漏源电压(Vdss) 40V
连续漏极电流Id@25℃ 7A
栅极电荷(Qg)(Max) 43nC
输入电容(Ciss)(Max) 1060pF
功率(Max) 1300mW
封装/外壳 SO-8
N沟道 VDS=60V VGS=±20V ID=115mA P=225mW
历史库存:25900
历史单价:0.09616(最新价格请咨询)
导通电阻Rds On(Max) 7Ω
功率(Max) 225mW