是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

封装/外壳 SOT-346

阈值电压Vgs(th) 1.4V@26µA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 3.5欧姆@230mA，10V

漏源极电压（Vdss） 60V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

连续漏极电流Id@25℃ 230mA

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-346

阈值电压Vgs(th) 1.5V@250µA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 3.5欧姆@200mA，10V

漏源极电压（Vdss） 60V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 60V

连续漏极电流Id@25℃ 210mA

导通电阻Rds On(Max) 3.5Ω

栅极电荷(Qg)(Max) 0.7nC

输入电容(Ciss)(Max) 20.0pF

功率(Max) 321mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-323，SC-70

阈值电压Vgs(th) 2.2V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 1.7毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 25V

是否无铅 不受无铅要求限制 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 25V

连续漏极电流Id@25℃ 100A

导通电阻Rds On(Max) 1.75mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 46.7nC

输入电容(Ciss)(Max) 3415pF

功率(Max) 135W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-669,LFPAK,Power-SO8)

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 25毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 100V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 100V

连续漏极电流Id@25℃ 47A

导通电阻Rds On(Max) 25mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 61nC

输入电容(Ciss)(Max) 2600pF

功率(Max) 150W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-428,DPAK

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 15毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 100V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 100V

连续漏极电流Id@25℃ 75A

导通电阻Rds On(Max) 15mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 90nC

输入电容(Ciss)(Max) 4900pF

功率(Max) 300W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK

阈值电压Vgs(th) 1.95V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 1.25毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 100A

导通电阻Rds On(Max) 1.25mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 78nC

输入电容(Ciss)(Max) 5093pF

功率(Max) 215W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-669,LFPAK,Power-SO8)

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 102毫欧@12A，10V

漏源极电压（Vdss） 200V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 200V

连续漏极电流Id@25℃ 21.5A

导通电阻Rds On(Max) 102mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 30.7nC

输入电容(Ciss)(Max) 1568pF

功率(Max) 113W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-669,LFPAK,Power-SO8)

阈值电压Vgs(th) 2.2V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 1.3毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 120A

导通电阻Rds On(Max) 1.3mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 243nC

输入电容(Ciss)(Max) 14850pF

功率(Max) 338W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 通孔(THT)

封装/外壳 SOT78，TO-220AB,SC-46

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 36.6毫欧@10A，10V

漏源极电压（Vdss） 100V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 100V

连续漏极电流Id@25℃ 30A

导通电阻Rds On(Max) 36.6mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 30nC

输入电容(Ciss)(Max) 1470pF

功率(Max) 91W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-1210，8-LFPAK33