阈值电压Vgs(th) 2.2V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 0.89毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 25V

是否无铅 不受无铅要求限制 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 25V

连续漏极电流Id@25℃ 240A

导通电阻Rds On(Max) 1mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 71.8nC

输入电容(Ciss)(Max) 5308pF

功率(Max) 160W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-669,LFPAK,Power-SO8)

阈值电压Vgs(th) 2.2V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 0.85毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 25V

是否无铅 不受无铅要求限制 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 25V

连续漏极电流Id@25℃ 300A

导通电阻Rds On(Max) 0.85mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 89.8nC

输入电容(Ciss)(Max) 6721pF

功率(Max) 238W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-669,LFPAK,Power-SO8)

阈值电压Vgs(th) 2.2V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 0.72毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 25V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 25V

连续漏极电流Id@25℃ 300A

导通电阻Rds On(Max) 0.92mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 110.2nC

输入电容(Ciss)(Max) 8320pF

功率(Max) 158W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-1023,LFPAK56, Power-SO8

阈值电压Vgs(th) 2.15V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 22毫欧@5A，10V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 30A

导通电阻Rds On(Max) 22mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 9.0nC

输入电容(Ciss)(Max) 447pF

功率(Max) 41W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 通孔(THT)

封装/外壳 SOT78，TO-220AB,SC-46

阈值电压Vgs(th) 2.15V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 22.6毫欧@5A，10V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 30A

导通电阻Rds On(Max) 22.6mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 9.0nC

输入电容(Ciss)(Max) 447pF

功率(Max) 41W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 71毫欧@5A，10V

漏源极电压（Vdss） 100V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 100V

连续漏极电流Id@25℃ 18A

导通电阻Rds On(Max) 71mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 16.4nC

输入电容(Ciss)(Max) 773pF

功率(Max) 65W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-1210，8-LFPAK33

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 63毫欧@15A，10V

漏源极电压（Vdss） 150V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 150V

连续漏极电流Id@25℃ 29A

导通电阻Rds On(Max) 63mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 55nC

输入电容(Ciss)(Max) 2390pF

功率(Max) 150W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-428,DPAK

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 59毫欧@12A，10V

漏源极电压（Vdss） 150V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 150V

连续漏极电流Id@25℃ 43A

导通电阻Rds On(Max) 59mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 27.9nC

输入电容(Ciss)(Max) 1529pF

功率(Max) 113W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-669,LFPAK,Power-SO8)

阈值电压Vgs(th) 2.1V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 14.7毫欧@20A，10V

漏源极电压（Vdss） 100V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 100V

连续漏极电流Id@25℃ 69A

导通电阻Rds On(Max) 15mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 86.3nC

输入电容(Ciss)(Max) 6139pF

功率(Max) 195W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-669,LFPAK,Power-SO8)

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 15毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 100V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 100V

连续漏极电流Id@25℃ 75A

导通电阻Rds On(Max) 15mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 90nC

输入电容(Ciss)(Max) 4900pF

功率(Max) 300W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 通孔(THT)

封装/外壳 SOT78，TO-220AB,SC-46