阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 4毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 55V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 55V

连续漏极电流Id@25℃ 75A

导通电阻Rds On(Max) 4mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 86nC

输入电容(Ciss)(Max) 6776pF

功率(Max) 300W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 2.9毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 40V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 40V

连续漏极电流Id@25℃ 100A

导通电阻Rds On(Max) 2.9mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 79nC

输入电容(Ciss)(Max) 6200pF

功率(Max) 234W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK

阈值电压Vgs(th) 2.5V@250µA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 43毫欧@3.9A，10V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 3.9A

导通电阻Rds On(Max) 43mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 10nC

输入电容(Ciss)(Max) 276pF

功率(Max) 510mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23,TO-236AB

阈值电压Vgs(th) 1.25V@250µA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 20毫欧@6.3A，4.5V

漏源极电压（Vdss） 20V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 20V

连续漏极电流Id@25℃ 6.3A

导通电阻Rds On(Max) 20mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 15nC

输入电容(Ciss)(Max) 930pF

功率(Max) 460mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23,TO-236AB

阈值电压Vgs(th) 900mV@250µA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 23毫欧@5.7A，4.5V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 5.7A

导通电阻Rds On(Max) 23mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 18.6nC

输入电容(Ciss)(Max) 1150pF

功率(Max) 510mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23,TO-236AB

阈值电压Vgs(th) 2V@250µA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 21毫欧@6A，10V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 6A

导通电阻Rds On(Max) 21mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 10.8nC

输入电容(Ciss)(Max) 435pF

功率(Max) 510mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23,TO-236AB

阈值电压Vgs(th) 1V@250µA

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 85毫欧@2.9A，4.5V

漏源极电压（Vdss） 20V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 20V

连续漏极电流Id@25℃ 2.9A

导通电阻Rds On(Max) 85mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 12nC

输入电容(Ciss)(Max) 608pF

功率(Max) 317mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-1215，DFN1010D-3

阈值电压Vgs(th) 2.5V@250µA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 2.7欧姆@50mA，5V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 60V

导通电阻Rds On(Max) 2.7Ω

功率(Max) 300mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23

阈值电压Vgs(th) 1.2V@250µA

漏极电流Idss -6A

FET类型 P沟道

漏源极电压（Vdss） -40V

漏源电压(Vdss) 40V

导通电阻Rds On(Max) 30mΩ

功率(Max) 1.4W

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23-3L

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 14.8毫欧@15A，10V

漏源极电压（Vdss） 60V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 60V

连续漏极电流Id@25℃ 50A

导通电阻Rds On(Max) 14.8mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 20.9nC

输入电容(Ciss)(Max) 1220pF

功率(Max) 86W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK