PMPB29XPEA/SOT1220/SOT1220
品牌：Nexperia
历史库存：0
历史单价：0
阈值电压Vgs(th) 1V@250µA
FET类型 P沟道
漏源电压(Vdss) 20V
连续漏极电流Id@25℃ 5A
导通电阻Rds On(Max) 32.5mΩ
栅极电荷(Qg)(Max) 45nC
输入电容(Ciss)(Max) 2970pF
功率(Max) 1.7W
工作温度(Tj) -55°C~150°C
安装类型 表面贴装(SMT)
封装/外壳 DFN2020MD-6
PMV52ENEA/SOT23/TO-236AB
阈值电压Vgs(th) 2.5V@250µA
FET类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 30V
连续漏极电流Id@25℃ 3.2A
导通电阻Rds On(Max) 70mΩ
栅极电荷(Qg)(Max) 3.3nC
输入电容(Ciss)(Max) 100pF
功率(Max) 630W
工作温度(Tj) -55°C~175°C
封装/外壳 SOT-23,TO-236AB
PMV50UPE/SOT23/TO-236AB
阈值电压Vgs(th) 900mV@250µA
导通电阻Rds On(Max) 66mΩ
栅极电荷(Qg)(Max) 15.7nC
输入电容(Ciss)(Max) 106pF
功率(Max) 500mW
PMV45EN2/SOT23/TO-236AB
阈值电压Vgs(th) 2V@250µA
连续漏极电流Id@25℃ 4.1A
导通电阻Rds On(Max) 42mΩ
栅极电荷(Qg)(Max) 6.3nC
输入电容(Ciss)(Max) 209pF
功率(Max) 510mW
BUK9K22-80E/SOT1205/LFPAK56D
阈值电压Vgs(th) 2.1V @ 1mA
FET类型 N+N沟道
漏源电压(Vdss) 80V
连续漏极电流Id@25℃ 21A
导通电阻Rds On(Max) 19mΩ
栅极电荷(Qg)(Max) 23.1nC
输入电容(Ciss)(Max) 3115pF
功率(Max) 64W
封装/外壳 LFPAK56-8
BUK9K20-80E/SOT1205/LFPAK56D
连续漏极电流Id@25℃ 23A
导通电阻Rds On(Max) 17mΩ
栅极电荷(Qg)(Max) 25.5nC
输入电容(Ciss)(Max) 3462pF
功率(Max) 68W
N沟道 VDS=30V VGS=±12V ID=2.5A
品牌：WINSOK
历史库存：3150
历史单价：0.34500（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 700mV@250µA
漏极电流Idss 2.5A
漏源极电压（Vdss） 30V
导通电阻Rds On(Max) 60mΩ
功率(Max) 700mW
DFN_3x3 Rds On(Max) : 16.5mΩ Vdss : -30V
品牌：AOS
历史库存：100
历史单价：3.15060（最新价格请咨询）
漏源电压(Vdss) -30V
连续漏极电流Id@25℃ -24A
导通电阻Rds On(Max) 16.5mΩ
栅极电荷(Qg)(Max) 34nC
输入电容(Ciss)(Max) 1180pF
功率(Max) 24W
封装/外壳 DFN3x3
2N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=7.7A P=2W 2通路
品牌：AsiaChip
历史库存：3000
历史单价：0.48000（最新价格请咨询）
导通电阻Rds On(Max) 33mΩ
功率(Max) 2W
2N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=3.6A P=2W 2通路
历史单价：0.45000（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 1.5V@250µA
