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通用三极管达林顿三极管带预偏置三极管 MOSFETs JFETs 可控硅/晶闸管/光电可控硅功率模块 IGBT

晶体管 Infineon IRFS4321TRLPBF

MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK

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历史单价：0

MOS场效应管 TI CSD17578Q3A

N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=20A P=3.2W

品牌：TI

历史库存：0

历史单价：6.33290（最新价格请咨询）

场效应管(MOSFET) PANJIT 2N7002KW_R1_00001

功率(Pd)：200mW 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3Ω 500mA,10V 连续漏极电流(Id)：115mA 漏源电压(Vdss)：60V 类型：N沟道 N-CH 60V 115mA

品牌：PANJIT

历史库存：2950

历史单价：0.10050（最新价格请咨询）

MOS场效应管(单) DIODES DMP4065S-7

P沟道 VDS=-40V VGS=±20V ID=-2.4A P=720mW

品牌：DIODES

历史库存：0

历史单价：1.26000（最新价格请咨询）

MOSFETs Belling BLM4953

类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.1A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：55mΩ@10V,5.1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250μA P沟道,-30V,-5.1A,<55mΩ@-10V

品牌：Belling

历史库存：2500

历史单价：0.55499（最新价格请咨询）

MOS场效应管(单) JCET CJ3420

N沟道 VDS=20V VGS=±12V ID=6A P=350mW

品牌：JCET

历史库存：3000

历史单价：0.27000（最新价格请咨询）

场效应管(MOSFET) PANJIT BSS138_R1_00001

功率(Pd)：350mW 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3Ω 500mA,10V 连续漏极电流(Id)：300mA 漏源电压(Vdss)：50V 类型：N沟道 N沟道 50V 0.3A

品牌：PANJIT

历史库存：2510

历史单价：0.16501（最新价格请咨询）

MOS(场效应管) UMW UMW AO3407A

P沟道 VDS=-30V VGS=12V ID=-4.1A P=1.4W

品牌：UMW

历史库存：5800

历史单价：0.28500（最新价格请咨询）

MOS场效应管 AOS AOD403

MOSFET P-CH 30V 15A TO252

品牌：AOS

历史库存：2500

历史单价：3.50999（最新价格请咨询）

MOS场效应管(单) Vishay SI4835DDY-T1-GE3

P沟道 VDS=-30V VGS=±25V ID=-13A P=5.6W

品牌：Vishay

历史库存：120

历史单价：4.34700（最新价格请咨询）