阈值电压Vgs(th) 1.95V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 4.8毫欧@20A，10V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 84A

导通电阻Rds On(Max) 4.8mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 20.5nC

输入电容(Ciss)(Max) 1324pF

功率(Max) 61W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-669,LFPAK,Power-SO8)

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 4.1毫欧@15A，10V

漏源极电压（Vdss） 80V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 80V

连续漏极电流Id@25℃ 100A

导通电阻Rds On(Max) 4.1mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 112nC

输入电容(Ciss)(Max) 8400pF

功率(Max) 306W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 通孔(THT)

封装/外壳 SOT78，TO-220AB,SC-46

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 4.5毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 80V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 80V

连续漏极电流Id@25℃ 100A

导通电阻Rds On(Max) 4.5mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 112nC

输入电容(Ciss)(Max) 8400pF

功率(Max) 306W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 4.3毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 80V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 80V

连续漏极电流Id@25℃ 120A

导通电阻Rds On(Max) 4.3mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 111nC

输入电容(Ciss)(Max) 8161pF

功率(Max) 306W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 通孔(THT)

封装/外壳 SOT-226

阈值电压Vgs(th) 1.1V@250µA

FET类型 N沟道

漏源电压(Vdss) 60V

连续漏极电流Id@25℃ 300mA

导通电阻Rds On(Max) 4.5Ω

栅极电荷(Qg)(Max) 0.43nC

输入电容(Ciss)(Max) 20.0pF

功率(Max) 325mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23,TO-236AB

阈值电压Vgs(th) -

FET类型 P沟道

漏源电压(Vdss) 20V

连续漏极电流Id@25℃ 2300mA

导通电阻Rds On(Max) 170mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 6.5nC

输入电容(Ciss)(Max) 418pF

功率(Max) 480mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23,TO-236AB

阈值电压Vgs(th) 1.1V@250µA

FET类型 N沟道

漏源电压(Vdss) 60V

连续漏极电流Id@25℃ 350mA

导通电阻Rds On(Max) 1.6Ω

输入电容(Ciss)(Max) 50pF

功率(Max) 1.2W

工作温度(Tj) 150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23,TO-236AB

阈值电压Vgs(th) 1V@250µA

FET类型 P沟道

漏源电压(Vdss) 20V

连续漏极电流Id@25℃ 5A

导通电阻Rds On(Max) 48mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 23.4nC

输入电容(Ciss)(Max) 1550pF

功率(Max) 1.7W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 DFN2020MD-6

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

漏源电压(Vdss) 100V

连续漏极电流Id@25℃ 53A

导通电阻Rds On(Max) 18mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 21.4nC

输入电容(Ciss)(Max) 1482pF

功率(Max) 111W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 通孔(THT)

封装/外壳 SOT-226

阈值电压Vgs(th) 2.5V@250µA

FET类型 P沟道

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 6.1A

导通电阻Rds On(Max) 29mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 45nC

输入电容(Ciss)(Max) 1570pF

功率(Max) 1.7W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 DFN2020MD-6