2N沟道 VDS=20V VGS=±8V ID=5A 2通路
品牌：WINSOK
历史库存：500
历史单价：1.26000（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 750mV@250µA
漏极电流Idss 5A
FET类型 N+N沟道
漏源极电压（Vdss） 20V
漏源电压(Vdss) 20V
导通电阻Rds On(Max) 50mΩ
功率(Max) 1.5W
安装类型 表面贴装(SMT)
封装/外壳 DFN2X2-6L
N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=60A P=31W
品牌：AsiaChip
历史库存：3000
历史单价：2.70000（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 1.7V@250µA
FET类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 30V
导通电阻Rds On(Max) 9.5mΩ
功率(Max) 31W
封装/外壳 DFN5x6
N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=34A
历史库存：1000
历史单价：0.96600（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 1.9V@250µA
漏极电流Idss 34A
漏源极电压（Vdss） 30V
导通电阻Rds On(Max) 10mΩ
功率(Max) 25W
封装/外壳 DFN3X3-8
P沟道 VDS=-20V VGS=±8V ID=-70A
历史库存：993
历史单价：1.28800（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 600mV@250µA
漏极电流Idss -70A
FET类型 P沟道
漏源极电压（Vdss） -20V
连续漏极电流Id@25℃ 70A
导通电阻Rds On(Max) 6.7mΩ
功率(Max) 83W
2N沟道 VDS=20V VGS=±12V ID=11A 2通路
历史库存：190
历史单价：0.78750（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 650mV@250µA
漏极电流Idss 11A
功率(Max) 1.7W
N沟道 VDS=30V VGS=±12V ID=5.8A P=350mW
品牌：JCET
历史库存：1608
历史单价：0.24000（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 1.4V@250µA
连续漏极电流Id@25℃ 5.8A
导通电阻Rds On(Max) 35mΩ
功率(Max) 350mW
工作温度(Tj) 150°C
封装/外壳 SOT-23
N沟道 VDS=100V VGS=±20V ID=0.17A P=225mW
品牌：LRC
历史库存：45
历史单价：0.12929（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 2V@1mA
漏源电压(Vdss) 100V
导通电阻Rds On(Max) 6Ω
功率(Max) 225mW
N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=43A
历史库存：2459
历史单价：0.74200（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 1.5V@250µA
漏极电流Idss 43A
功率(Max) 37.5W
封装/外壳 TO-252
N沟道 VDS=60V VGS=±20V ID=28A P=60W
历史库存：330
阈值电压Vgs(th) 2V@250µA
漏极电流Idss 28A
漏源极电压（Vdss） 60V
漏源电压(Vdss) 60V
导通电阻Rds On(Max) 28mΩ
功率(Max) 60W
N沟道 VDS=200V VGS=±30V ID=9A
历史库存：395
历史单价：1.31600（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 1.8V@250µA
漏极电流Idss 9A
漏源极电压（Vdss） 200V
漏源电压(Vdss) 200V
导通电阻Rds On(Max) 250mΩ
