阈值电压Vgs(th) 4V@150µA

漏极电流Idss 97A

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 8.6毫欧@58A，10V

漏源极电压（Vdss） 100V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 100V

导通电阻Rds On(Max) 7.2mΩ

输入电容(Ciss)(Max) 4476pF

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 通孔(THT)

封装/外壳 SOT78，TO-220AB,SC-46

阈值电压Vgs(th) 3V@250µA

漏极电流Idss 40A

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 22毫欧@12A，10V

漏源极电压（Vdss） 40V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 40V

导通电阻Rds On(Max) 18mΩ

功率(Max) 2.5W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-428,DPAK

阈值电压Vgs(th) 4V@250µA

漏极电流Idss 18A

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 150毫欧@11A，10V

漏源极电压（Vdss） 200V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 200V

导通电阻Rds On(Max) 150mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 67nC

功率(Max) 150W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 通孔(THT)

封装/外壳 SOT78，TO-220AB,SC-46

阈值电压Vgs(th) 1.1V@5µA

漏极电流Idss 4.1A

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 46毫欧@4.1A，4.5V

漏源极电压（Vdss） 20V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 20V

导通电阻Rds On(Max) 46mΩ

功率(Max) 1300mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23-3(SC-59,TO_236_3)

阈值电压Vgs(th) 4V@250µA

漏极电流Idss 17A

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 90毫欧@9A，10V

漏源极电压（Vdss） 100V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 100V

导通电阻Rds On(Max) 90mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 37nC

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 通孔(THT)

封装/外壳 SOT78，TO-220AB,SC-46

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 4.2毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 80V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 Digi-Key已不再提供

漏源电压(Vdss) 80V

连续漏极电流Id@25℃ 120A

导通电阻Rds On(Max) 4.2mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 136nC

输入电容(Ciss)(Max) 10426pF

功率(Max) 324W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 4.5毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 60V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 60V

连续漏极电流Id@25℃ 100A

导通电阻Rds On(Max) 4.5mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 82nC

输入电容(Ciss)(Max) 6230pF

功率(Max) 234W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 3.1毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 60V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 60V

连续漏极电流Id@25℃ 120A

导通电阻Rds On(Max) 3.1mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 114nC

输入电容(Ciss)(Max) 8920pF

功率(Max) 293W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 35毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 100V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 100V

连续漏极电流Id@25℃ 41A

导通电阻Rds On(Max) 35mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) -

输入电容(Ciss)(Max) 2535pF

功率(Max) 149W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 35毫欧@20A，10V

漏源极电压（Vdss） 55V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 55V

连续漏极电流Id@25℃ 35A

导通电阻Rds On(Max) 35mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) -

输入电容(Ciss)(Max) 872pF

功率(Max) 85W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK