阈值电压Vgs(th) 2.8V@1mA

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 12欧姆@200mA，10V

漏源极电压（Vdss） 200V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 200V

连续漏极电流Id@25℃ 225mA

导通电阻Rds On(Max) 12Ω

栅极电荷(Qg)(Max) -

输入电容(Ciss)(Max) 90pF

功率(Max) 1.5W

工作温度(Tj) 150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

阈值电压Vgs(th) 2V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 2.5欧姆@750mA，10V

漏源极电压（Vdss） 200V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 200V

连续漏极电流Id@25℃ 550mA

导通电阻Rds On(Max) 2.5Ω

栅极电荷(Qg)(Max) -

输入电容(Ciss)(Max) 100pF

功率(Max) 1.5W

工作温度(Tj) 150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

阈值电压Vgs(th) 2.8V@1mA

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 250毫欧@1A，10V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 3A

导通电阻Rds On(Max) 250mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 25nC

输入电容(Ciss)(Max) 250pF

功率(Max) 5W

工作温度(Tj) 150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

阈值电压Vgs(th) 400mV@1mA（最小）

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 400毫欧@500mA，4.5V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 850mA

导通电阻Rds On(Max) 500mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 2.1nC

输入电容(Ciss)(Max) 83pF

功率(Max) 750mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23

阈值电压Vgs(th) 1V@250µA

漏极电流Idss 3A

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 50毫欧@4.2A，4.5V

漏源极电压（Vdss） 20V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 20V

导通电阻Rds On(Max) 50mΩ

输入电容(Ciss)(Max) 436pF

功率(Max) 1.4W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-346

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 500毫欧@500mA，10V

漏源极电压（Vdss） 100V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 100V

连续漏极电流Id@25℃ 500mA

导通电阻Rds On(Max) 500mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 0.8nC

输入电容(Ciss)(Max) 138pF

功率(Max) 830mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23

阈值电压Vgs(th) 1.3V@250µA

漏极电流Idss 4A

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 44毫欧@4.3A，10V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

导通电阻Rds On(Max) 44mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 12.2nC

功率(Max) 1.4W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23-3(SC-59,TO_236_3)

阈值电压Vgs(th) 1V@250µA

漏极电流Idss 6.5A

FET类型 N+P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 29毫欧@5.8A，10V

漏源极电压（Vdss） 30V

漏源电压(Vdss) 30V

导通电阻Rds On(Max) 29mΩ

功率(Max) 2W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SO-8

阈值电压Vgs(th) 2V@1mA

漏极电流Idss 130mA

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 10欧姆@100mA，5V

漏源极电压（Vdss） 50V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 50V

连续漏极电流Id@25℃ 130mA

导通电阻Rds On(Max) 10Ω

栅极电荷(Qg)(Max) -

输入电容(Ciss)(Max) 45.0pF

功率(Max) 200mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-323

阈值电压Vgs(th) 1.5V@250µA

漏极电流Idss 220mA

FET类型 N+N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 2.8欧姆@250mA，10V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 220mA

导通电阻Rds On(Max) 2.8Ω

栅极电荷(Qg)(Max) 0.87nC

输入电容(Ciss)(Max) 22pF

功率(Max) 300mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-363