MOSFET P-CH 20V 2.7A SOT23-3
品牌:DIODES
历史库存:63
历史单价:0.33646(最新价格请咨询)
阈值电压Vgs(th) 1.25V@250µA
漏极电流Idss 2.7A
FET类型 P沟道
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) 100毫欧@2.7A,4.5V
漏源极电压(Vdss) 20V
是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
零件状态 在售
漏源电压(Vdss) 20V
连续漏极电流Id@25℃ 2.7A
导通电阻Rds On(Max) 100mΩ
栅极电荷(Qg)(Max) 5.3nC
输入电容(Ciss)(Max) 250pF
功率(Max) 1.08W
工作温度(Tj) -55°C~150°C
安装类型 表面贴装(SMT)
封装/外壳 SOT-23-3(SC-59,TO_236_3)
P沟道 VDS=-20V VGS=±12V ID=-3.3A P=1.4W
历史库存:2675
历史单价:0.34052(最新价格请咨询)
阈值电压Vgs(th) 900mV@250µA
漏极电流Idss 3.2A
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) 80毫欧@1.5A,4.5V
连续漏极电流Id@25℃ 3.3A
导通电阻Rds On(Max) 75mΩ
栅极电荷(Qg)(Max) 6.5nC
输入电容(Ciss)(Max) 627pF
功率(Max) 1.4W
P沟道 VDS=-30V VGS=±20V ID=-4.6A P=2W
历史库存:780
历史单价:3.50455(最新价格请咨询)
阈值电压Vgs(th) 1V@250µA
漏极电流Idss 5.4A
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) 45毫欧@4.2A,10V
漏源极电压(Vdss) 30V
漏源电压(Vdss) 30V
连续漏极电流Id@25℃ 7.5A
导通电阻Rds On(Max) 45mΩ
栅极电荷(Qg)(Max) 29.6nC
输入电容(Ciss)(Max) 1022pF
功率(Max) 2W
封装/外壳 SOT-223
N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=100mA P=150mW
品牌:takcheong
历史库存:2930
历史单价:0.08402(最新价格请咨询)
阈值电压Vgs(th) 1.5V@100µA
漏极电流Idss 600mA
FET类型 N沟道
连续漏极电流Id@25℃ 100mA
导通电阻Rds On(Max) 8Ω
功率(Max) 150mW
封装/外壳 SOT-523
2N沟道 VDS=60V VGS=±20V ID=6.3A P=2.1W 2通路
品牌:TI
历史库存:销售,并且可以通过 等渠道进行代购。CSD88539ND价格参考¥9.49306。TICSD88539ND封装/规格:SOIC-8(0.154", 3.90mm Width),2N沟道 VDS=60V VGS=±20V ID=6.3A P=2.1W 2通路。你可以下载CSD88539ND中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MOSFETs详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程 手机版:CSD88539ND<!--
历史单价:9.92456(最新价格请咨询)
阈值电压Vgs(th) 3.6V@250µA
漏极电流Idss 15A
FET类型 N+N沟道
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) 28毫欧@5A,10V
漏源极电压(Vdss) 60V
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流Id@25℃ 15A
导通电阻Rds On(Max) 27mΩ
功率(Max) 2.1W
封装/外壳 SO-8
N沟道 VDS=40V VGS=±20V ID=195A
品牌:Infineon
历史库存:销售,并且可以通过 Future、 等渠道进行代购。IRFS7437TRLPBF价格参考¥11.16872。InfineonIRFS7437TRLPBF封装/规格:TO-263-2(D2Pak,TO-263AB),N沟道 VDS=40V VGS=±20V ID=195A。你可以下载IRFS7437TRLPBF中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MOSFETs详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程 手机版:IRFS7437TRLPBF&
历史单价:12.30453(最新价格请咨询)
阈值电压Vgs(th) 3.9V@150µA
漏极电流Idss 195A
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) 1.8毫欧@100A,10V
漏源极电压(Vdss) 40V
漏源电压(Vdss) 40V
导通电阻Rds On(Max) 1.8mΩ
输入电容(Ciss)(Max) 7330pF
工作温度(Tj) -55°C~175°C
P沟道 VDS=-30V VGS=±12V ID=-4.2A
品牌:SK
历史库存:30
历史单价:0.24750(最新价格请咨询)
阈值电压Vgs(th) 1.3V@250µA
漏极电流Idss 4.2A
导通电阻Rds On(Max) 55mΩ
N沟道+P沟道 VDS=40V ID=6A VGS=±20V P=2W 2通路
品牌:AsiaChip
历史库存:3000
历史单价:0.71400(最新价格请咨询)
阈值电压Vgs(th) 2.3V@250µA
FET类型 N+P沟道
导通电阻Rds On(Max) 35.2mΩ
N沟道 VDS=80V VGS=±25V ID=140A
品牌:WINSOK
历史库存:100
历史单价:2.71250(最新价格请咨询)
阈值电压Vgs(th) 3V@250µA
漏极电流Idss 140A
漏源极电压(Vdss) 80V
漏源电压(Vdss) 80V
导通电阻Rds On(Max) 4.8mΩ
功率(Max) 250W
N沟道+P沟道 VDS1=40V ID1=30A VDS2=-40V ID2=-20A VGS=±20V 2通路
历史库存:301
历史单价:1.47150(最新价格请咨询)
阈值电压Vgs(th) 2V@250µA
漏极电流Idss 30A
导通电阻Rds On(Max) 30mΩ
功率(Max) 31.3W