P沟道 VDS=-30V VGS=±12V ID=-4A P=1.4W
品牌：AsiaChip
历史库存：3000
历史单价：0.25500（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 1V@250µA
FET类型 P沟道
漏源电压(Vdss) 30V
导通电阻Rds On(Max) 66mΩ
功率(Max) 1.4W
2N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=6A P=2W 2通路
历史单价：0.52500（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 1.8V@250µA
FET类型 N+N沟道
导通电阻Rds On(Max) 46.2mΩ
功率(Max) 2W
P沟道 VDS=-30V VGS=±25V ID=-10.5A P=3.1W
历史单价：0.72800（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 2.3V@250µA
导通电阻Rds On(Max) 39.6mΩ
功率(Max) 3.1W
P沟道 VDS=-30V VGS=±25V ID=-12A P=3.1W
历史单价：0.71400（最新价格请咨询）
导通电阻Rds On(Max) 18.7mΩ
P沟道 VDS=-20V VGS=±12V ID=-5.6A
品牌：WINSOK
历史库存：2000
历史单价：0.28500（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 500mV@250µA
漏极电流Idss -5.6A
漏源极电压（Vdss） -20V
漏源电压(Vdss) 20V
导通电阻Rds On(Max) 42mΩ
功率(Max) 1W
安装类型 表面贴装(SMT)
封装/外壳 SOT-23-3L
P沟道 VDS=-20V VGS=±6V ID=-0.35A
历史库存：500
历史单价：0.27000（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 450mV@250µA（最小）
漏极电流Idss -0.35A
导通电阻Rds On(Max) 1.2Ω
功率(Max) 150mW
封装/外壳 SOT-523
N沟道 VDS=60V VGS=±20V ID=2.1A
历史库存：1000
历史单价：0.69000（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 1.5V@250µA
漏极电流Idss 2.1A
FET类型 N沟道
漏源极电压（Vdss） 60V
漏源电压(Vdss) 60V
导通电阻Rds On(Max) 110mΩ
功率(Max) 1.25W
N沟道 VDS=20V VGS=±12V ID=4.4A
历史库存：980
历史单价：0.19500（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 850mV@250µA
漏极电流Idss 4.4A
漏源极电压（Vdss） 20V
导通电阻Rds On(Max) 50mΩ
N沟道 VDS=20V VGS=±12V ID=3A
历史库存：3880
历史单价：0.18450（最新价格请咨询）
漏极电流Idss 3A
导通电阻Rds On(Max) 60mΩ
2N沟道 VDS=20V VGS=±12V ID=7.2A 2通路
历史单价：0.49500（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 600mV@250µA
漏极电流Idss 7.2A
导通电阻Rds On(Max) 16mΩ
封装/外壳 SOT-23-6L
