是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

晶体管类型 NPN

Vce饱和压降(Max) 500mV

DC电流增益(hFE)(Min&Range) 63

集电极电流Ic(Max) 1000mA

集射极击穿电压Vce(Max) 80V

功率(Max) 650mW

跃迁频率 180MHz

工作温度(Tj) 150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-223

封装/外壳 SOT-363

阈值电压Vgs(th) 700mV@250µA

漏极电流Idss 3.6A

FET类型 N沟道

漏源极电压（Vdss） 20V

漏源电压(Vdss) 20V

导通电阻Rds On(Max) 35mΩ

功率(Max) 1.25W

阈值电压Vgs(th) 750mV@250µA

漏极电流Idss 3A

FET类型 N沟道

漏源极电压（Vdss） 20V

漏源电压(Vdss) 20V

导通电阻Rds On(Max) 58mΩ

功率(Max) 900mW

阈值电压Vgs(th) 3V@250µA

漏极电流Idss 196mA

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 5欧姆@100mA，10V

漏源极电压（Vdss） 60V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 60V

连续漏极电流Id@25℃ 196mA

导通电阻Rds On(Max) 1.6mΩ

功率(Max) 347mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-346

阈值电压Vgs(th) 3V@250µA

漏极电流Idss 1.4A

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 160毫欧@1.4A，10V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

导通电阻Rds On(Max) 160mΩ

功率(Max) 500mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-346

阈值电压Vgs(th) 2.7V@250µA

FET类型 N沟道

漏源电压(Vdss) 60V

连续漏极电流Id@25℃ 2.2A

导通电阻Rds On(Max) 117mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 6.0nC

输入电容(Ciss)(Max) 196pF

功率(Max) 615mW

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23,TO-236AB

阈值电压Vgs(th) 2.5V@250µA

FET类型 N沟道

漏源电压(Vdss) 40V

连续漏极电流Id@25℃ 3A

导通电阻Rds On(Max) 75mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 5.0nC

输入电容(Ciss)(Max) 180pF

功率(Max) 615mW

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23,TO-236AB

阈值电压Vgs(th) 950mV@250µA

FET类型 P沟道

漏源电压(Vdss) 20V

连续漏极电流Id@25℃ 1.2A

导通电阻Rds On(Max) 210mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 4.0nC

输入电容(Ciss)(Max) 365pF

功率(Max) 335mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23,TO-236AB

阈值电压Vgs(th) 3V@250µA

FET类型 P沟道

漏源电压(Vdss) 70V

连续漏极电流Id@25℃ 2.4A

导通电阻Rds On(Max) 167mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 15.9nC

输入电容(Ciss)(Max) 822pF

功率(Max) 1.75W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)