是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

功率(Max) 30W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 通孔(THT)

封装/外壳 SOT78，TO-220AB,SC-46

阈值电压Vgs(th) 1V@250µA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 50毫欧@4.5A，10V

漏源极电压（Vdss） 40V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

栅极电荷(Qg)(Max) 18.2nC

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23-3

阈值电压Vgs(th) 2.5V@250µA

漏极电流Idss 17.4A

FET类型 N沟道

漏源极电压（Vdss） 30V

漏源电压(Vdss) 30V

功率(Max) 2.5W

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 DFN5x6

阈值电压Vgs(th) 900mV@250µA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 700毫欧@600mA，4.5V

漏源极电压（Vdss） 20V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

连续漏极电流Id@25℃ 500mA

栅极电荷(Qg)(Max) 0.75nC

输入电容(Ciss)(Max) -

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

阈值电压Vgs(th) 2.5V@250µA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 2欧姆@500mA，10V

漏源极电压（Vdss） 60V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

连续漏极电流Id@25℃ 280mA

栅极电荷(Qg)(Max) -

工作温度(Tj) -65°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-346

阈值电压Vgs(th) 680mV@1mA

漏极电流Idss 470mA

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 900毫欧@280mA，4.5V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 470mA

导通电阻Rds On(Max) 660mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 2.2nC

输入电容(Ciss)(Max) 110pF

功率(Max) 417mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23

阈值电压Vgs(th) 900mV@250µA

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 50毫欧@3.85A，4.5V

漏源极电压（Vdss） 12V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-346

阈值电压Vgs(th) 2.5V@250µA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 24毫欧@7.8A，10V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT96-1

阈值电压Vgs(th) 2V@250µA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 350毫欧@850mA，10V

漏源极电压（Vdss） 100V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

栅极电荷(Qg)(Max) 6nC

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)