阈值电压Vgs(th) 1.4V@250µA

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 115毫欧@2.6A，10V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

栅极电荷(Qg)(Max) 7.2nC

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-346

阈值电压Vgs(th) 3.5V@1mA

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 80欧姆@50mA，10V

漏源极电压（Vdss） 200V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

连续漏极电流Id@25℃ 35mA

栅极电荷(Qg)(Max) -

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-346

阈值电压Vgs(th) 3V@250µA

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 88毫欧@3.5A，10V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-346

阈值电压Vgs(th) 1.5V@250µA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 67毫欧@2.5A，4.5V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

输入电容(Ciss)(Max) 447pF

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

阈值电压Vgs(th) 2.8V@1mA

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 15欧姆@200mA，10V

漏源极电压（Vdss） 250V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 250V

连续漏极电流Id@25℃ 225mA

导通电阻Rds On(Max) 15Ω

栅极电荷(Qg)(Max) -

输入电容(Ciss)(Max) 90pF

功率(Max) 1.5W

工作温度(Tj) 150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

阈值电压Vgs(th) 4.5V@50µA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 16欧姆@500mA，10V

漏源极电压（Vdss） 800V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

栅极电荷(Qg)(Max) 7.7nC

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

阈值电压Vgs(th) 1V@250µA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 2欧姆@100mA，4.5V

漏源极电压（Vdss） 60V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

栅极电荷(Qg)(Max) 0.5nC

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

阈值电压Vgs(th) 3V@250µA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 140毫欧@1.8A，10V

漏源极电压（Vdss） 60V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 60V

连续漏极电流Id@25℃ 1.6A

导通电阻Rds On(Max) 140mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 8.6nC

输入电容(Ciss)(Max) 315pF

功率(Max) 700mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23-3(SC-59,TO_236_3)

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

功率(Max) 258W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 通孔(THT)

封装/外壳 TO-247 ,SOT-429

阈值电压Vgs(th) 3V@250µA

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 350毫欧@900mA，10V

漏源极电压（Vdss） 60V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 60V

连续漏极电流Id@25℃ 1.5A

导通电阻Rds On(Max) 350mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 4.1nC

输入电容(Ciss)(Max) 206pF

功率(Max) 720mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23-3(SC-59,TO_236_3)