MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
品牌：ON
历史库存：20
历史单价：4.02501（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 5V@250µA
FET类型 N沟道
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 950毫欧@2.3A，10V
漏源极电压（Vdss） 600V
是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
零件状态 在售
工作温度(Tj) -55°C~150°C
安装类型 表面贴装(SMT)
封装/外壳 SOT-428,DPAK
MOSFET P-CH 20V 13.4A 8SOIC
品牌：Vishay
历史库存：100
历史单价：1.78241（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 1V@250µA
FET类型 P沟道
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 15.5毫欧@9A，4.5V
漏源极电压（Vdss） 20V
栅极电荷(Qg)(Max) 90nC
输入电容(Ciss)(Max) 2380pF
封装/外壳 SOT96-1
MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-SOIC
历史库存：86
历史单价：2.92500（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 2V@250µA（最小）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 85毫欧@3.5A，10V
漏源极电压（Vdss） 150V
输入电容(Ciss)(Max) -
MOSFET N-CH 100V 2.7A 3SSOT
历史库存：1
历史单价：7.00353（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 4V@250µA
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 109毫欧@1.5A，10V
漏源极电压（Vdss） 100V
封装/外壳 SOT-346
MOSFET N-CH 500V 28A TO-3PN
历史单价：17.77101（最新价格请咨询）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 155毫欧@14A，10V
漏源极电压（Vdss） 500V
输入电容(Ciss)(Max) 5140pF
安装类型 通孔(THT)
MOSFET N-CH 400V 3.1A I-PAK
历史单价：2.83554（最新价格请咨询）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 1.8欧姆@1.9A，10V
漏源极电压（Vdss） 400V
类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：300mΩ 4.5V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V 250μA
品牌：BORN
历史库存：40
历史单价：0.26100（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 2.5V@250µA
漏源极电压（Vdss） 60V
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流Id@25℃ 2A
功率(Max) 1W
工作温度(Tj) -50°C~150°C
封装/外壳 SOT-23
20V 4.3A SOT-23
品牌：YANGJIE
历史库存：3000
历史单价：0.13201（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 0.85V@250uA
漏极电流Idss 1µA
元件生命周期 Active
存储温度 -55~+150℃
引线数量 3Pin
高度 1.15mm
长x宽/尺寸 2.90 x 1.30mm
认证信息 RoHS
原产国家 China
原始制造商 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
品牌 Yangjie
是否无铅 Yes
漏源电压(Vdss) 20V
连续漏极电流Id@25℃ 4.3A
导通电阻Rds On(Max) 37mΩ
栅极电荷(Qg)(Max) 6.5nC
输入电容(Ciss)(Max) 602pF
安装类型 SMT
MOS(场效应管) 100V 170mA 2V 6Ω
品牌：JCET
历史库存：2815
漏源电压(Vdss) 100V
连续漏极电流Id@25℃ 170mA
导通电阻Rds On(Max) 6Ω
输入电容(Ciss)(Max) 60pF
功率(Max) 360mW
工作温度(Tj) 150°C
N- Enhancement Mode Field Effect Transistor
品牌：PJ
历史库存：150
历史单价：0.14000（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 1.2V@250µA
连续漏极电流Id@25℃ 3.3A
导通电阻Rds On(Max) 45mΩ
栅极电荷(Qg)(Max) 4.0nC
输入电容(Ciss)(Max) 300pF
功率(Max) 900mW
