IGBT 600V 120A 298W TO247
品牌：ON
历史库存：19
历史单价：26.25000（最新价格请咨询）
是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
零件状态 在售
功率(Max) 298W
工作温度(Tj) -55°C~150°C
安装类型 通孔(THT)
封装/外壳 TO-247 ,SOT-429
MOSFET N-CH 150V 90A TO-3P
历史库存：20
历史单价：18.85000（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 4V@250µA
FET类型 N沟道
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 18毫欧@45A，10V
漏源极电压（Vdss） 150V
栅极电荷(Qg)(Max) 285nC
输入电容(Ciss)(Max) 8700pF
工作温度(Tj) -55°C~175°C
MOSFET N-CH 800V 8A TO-220F
历史库存：30
历史单价：12.35000（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 5V@250µA
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 1.55欧姆@4A，10V
漏源极电压（Vdss） 800V
封装/外壳 SOT78，TO-220AB,SC-46
MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220AB
品牌：Vishay
历史库存：100
历史单价：2.82326（最新价格请咨询）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 3欧姆@1.5A，10V
漏源极电压（Vdss） 500V
MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AC
历史库存：10
历史单价：14.48770（最新价格请咨询）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 270毫欧@12A，10V
输入电容(Ciss)(Max) 3600pF
MOSFET N-CH 100V 12.4A POWER56
历史库存：970
历史单价：4.94500（最新价格请咨询）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 8毫欧@13A，10V
漏源极电压（Vdss） 100V
安装类型 表面贴装(SMT)
MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8
历史单价：3.25499（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 3V@250µA
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 23.5毫欧@10A，10V
输入电容(Ciss)(Max) 802pF
MOSFET P-CH 30V 24A 1212-8 PPAK
历史单价：2.91654（最新价格请咨询）
FET类型 P沟道
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 21毫欧@10.5A，10V
漏源极电压（Vdss） 30V
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220AB
历史库存：50
历史单价：3.49700（最新价格请咨询）
漏极电流Idss 4.5A
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 1.5欧姆@2.7A，10V
漏源电压(Vdss) 500V
导通电阻Rds On(Max) 1.5Ω
P沟道 VDS=20V VGS=±12V ID=2.8A P=480mW
品牌：Nexperia
历史库存：76
历史单价：0.62222（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 1.25V@250µA
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 78毫欧@2.8A，4.5V
漏源极电压（Vdss） 20V
漏源电压(Vdss) 20V
连续漏极电流Id@25℃ 2.8A
导通电阻Rds On(Max) 78mΩ
栅极电荷(Qg)(Max) 9.0nC
输入电容(Ciss)(Max) 618pF
功率(Max) 480mW
封装/外壳 SOT-23,TO-236AB
