PMPB85ENEA/SOT1220/SOT1220
品牌：Nexperia
历史库存：0
历史单价：0
阈值电压Vgs(th) 2.7V@250µA
FET类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流Id@25℃ 3A
导通电阻Rds On(Max) 95mΩ
栅极电荷(Qg)(Max) 9.2nC
输入电容(Ciss)(Max) 305pF
功率(Max) 1.6W
工作温度(Tj) -55°C~150°C
安装类型 表面贴装(SMT)
封装/外壳 DFN2020MD-6
PMPB48EPA/SOT1220/SOT1220
阈值电压Vgs(th) 2.5V@250µA
FET类型 P沟道
漏源电压(Vdss) 30V
连续漏极电流Id@25℃ 4.7A
导通电阻Rds On(Max) 50mΩ
栅极电荷(Qg)(Max) 26nC
输入电容(Ciss)(Max) 860pF
功率(Max) 1.7W
PSMN8R7-100YSF/SOT669/LFPAK
阈值电压Vgs(th) 1.9V@1mA
漏源电压(Vdss) 100V
连续漏极电流Id@25℃ 90A
导通电阻Rds On(Max) 9mΩ
栅极电荷(Qg)(Max) 38.5nC
输入电容(Ciss)(Max) 2758pF
功率(Max) 198W
工作温度(Tj) -55°C~175°C
封装/外壳 SOT-669,LFPAK,Power-SO8)
PSMN8R5-100PS/SOT78/SIL3P
阈值电压Vgs(th) 4V@1mA
连续漏极电流Id@25℃ 98A
导通电阻Rds On(Max) 8.7mΩ
栅极电荷(Qg)(Max) 44.5nC
输入电容(Ciss)(Max) 3181pF
功率(Max) 183W
安装类型 通孔(THT)
封装/外壳 SOT78，TO-220AB,SC-46
PSMN4R1-60YL/SOT669/LFPAK
阈值电压Vgs(th) 2.1V @ 1mA
连续漏极电流Id@25℃ 100A
导通电阻Rds On(Max) 4.8mΩ
栅极电荷(Qg)(Max) 103nC
输入电容(Ciss)(Max) 7853pF
功率(Max) 238W
PSMN3R7-100BSE/SOT404/D2PAK
连续漏极电流Id@25℃ 120A
导通电阻Rds On(Max) 3.95mΩ
栅极电荷(Qg)(Max) 246nC
输入电容(Ciss)(Max) 16370pF
功率(Max) 405W
封装/外壳 SOT-404,D2PAK
MOSFET N CH 40V 14A 8-SO
品牌：Infineon
历史库存：销售,并且可以通过 等渠道进行代购。AUIRF7484QTR价格参考￥0.00000。InfineonAUIRF7484QTR封装/规格：SOT96-1,MOSFET N CH 40V 14A 8-SO。你可以下载AUIRF7484QTR中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MOSFETs详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程 手机版：AUIRF7484QTR<!--
阈值电压Vgs(th) 2V@250µA
漏极电流Idss 14A
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 10毫欧@14A，7V
漏源极电压（Vdss） 40V
是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
零件状态 在售
漏源电压(Vdss) 40V
导通电阻Rds On(Max) 10mΩ
功率(Max) 2.5W
封装/外壳 SOT96-1
PMPB13XNEA/SOT1220/SOT1220
阈值电压Vgs(th) 0.9V@250µA
连续漏极电流Id@25℃ 8A
导通电阻Rds On(Max) 16mΩ
栅极电荷(Qg)(Max) 36nC
输入电容(Ciss)(Max) 2195pF
IGBT 1200V 30A 217W TO247-3
历史库存：20
历史单价：17.63310（最新价格请咨询）
功率(Max) 217W
工作温度(Tj) -40°C~175°C
封装/外壳 TO-247 ,SOT-429
PMPB100ENE/SOT1220/SOT1220
阈值电压Vgs(th) 1.5V@250µA
连续漏极电流Id@25℃ 3.9A
导通电阻Rds On(Max) 54mΩ
栅极电荷(Qg)(Max) 5.0nC
输入电容(Ciss)(Max) 157pF
功率(Max) 2W
