Mosfet Array N and P-Channel 20V 3.4A, 2.5A 1.1W Surface Mount 6-TSOP
品牌:AOS
历史库存:385
历史单价:0.73080(最新价格请咨询)
阈值电压Vgs(th) 1V@250µA
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) 60毫欧@3.4A,4.5V
漏源极电压(Vdss) 20V
是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
零件状态 上次购买时间
栅极电荷(Qg)(Max) 3.8nC
功率(Max) 1.1W
工作温度(Tj) -55°C~150°C
安装类型 表面贴装(SMT)
MOSFET N-CH 150V 51A TO-220AB
品牌:Infineon
历史库存:20
历史单价:14.30000(最新价格请咨询)
阈值电压Vgs(th) 5V@250µA
FET类型 N沟道
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) 32毫欧@36A,10V
漏源极电压(Vdss) 150V
零件状态 在售
栅极电荷(Qg)(Max) 89nC
工作温度(Tj) -55°C~175°C
安装类型 通孔(THT)
封装/外壳 SOT78,TO-220AB,SC-46
MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC
历史库存:100
历史单价:1.69500(最新价格请咨询)
阈值电压Vgs(th) 2.35V@25µA
FET类型 N+N沟道
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) 15.5毫欧@9.7A,10V
漏源极电压(Vdss) 30V
零件状态 不可用于新设计
连续漏极电流Id@25℃ 9.7A
功率(Max) 2W
封装/外壳 SOT96-1
IGBT NPT 600V 16A 44W Through Hole TO-220AB Full-Pak
历史库存:10
历史单价:23.38699(最新价格请咨询)
功率(Max) 44W
MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
历史库存:80
历史单价:9.10000(最新价格请咨询)
阈值电压Vgs(th) 4V@250µA
FET类型 P沟道
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) 200毫欧@8.4A,10V
漏源极电压(Vdss) 100V
漏源电压(Vdss) 100V
导通电阻Rds On(Max) 200mΩ
栅极电荷(Qg)(Max) 58nC
功率(Max) 3.8W
封装/外壳 SOT-404,D2PAK
MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT
品牌:ROHM
历史库存:496
历史单价:0.61738(最新价格请咨询)
阈值电压Vgs(th) 2.5V@1mA
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) 50毫欧@3.5A,10V
工作温度(Tj) 150°C
MOSFET N-CH 200V 25A TO-220AB
历史单价:12.99500(最新价格请咨询)
阈值电压Vgs(th) 5V@100µA
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) 72.5毫欧@15A,10V
漏源极电压(Vdss) 200V
MOSFET N CH 40V 195A TO220
历史单价:15.41000(最新价格请咨询)
阈值电压Vgs(th) 3.9V@250µA
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) 1.3毫欧@100A,10V
漏源极电压(Vdss) 40V
栅极电荷(Qg)(Max) 460nC
输入电容(Ciss)(Max) 14240pF
MOSFET N-CH 30V 5A SOT23
历史库存:72
历史单价:3.63999(最新价格请咨询)
阈值电压Vgs(th) 1.1V@10µA
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) 29毫欧@5A,4.5V
封装/外壳 SOT-346
MOSFET N-CH 50V 0.2A 3VMT
历史库存:200
历史单价:0.27000(最新价格请咨询)
阈值电压Vgs(th) 1V@1mA
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) 2.2欧姆@200mA,4.5V
漏源极电压(Vdss) 50V
连续漏极电流Id@25℃ 200mA
栅极电荷(Qg)(Max) -
输入电容(Ciss)(Max) 25pF
封装/外壳 SOT-723