阈值电压Vgs(th) 1.5V@250µA

漏极电流Idss 6.4A

FET类型 N+P沟道

漏源极电压（Vdss） 30V

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 7A

导通电阻Rds On(Max) 28mΩ

功率(Max) 1W

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOP-8

阈值电压Vgs(th) 2V@250µA

漏极电流Idss -13A

FET类型 P沟道

漏源极电压（Vdss） -30V

漏源电压(Vdss) 30V

导通电阻Rds On(Max) 9.6mΩ

功率(Max) 3.1W

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOP-8

阈值电压Vgs(th) 2V@250µA

漏极电流Idss 15A

FET类型 N沟道

漏源极电压（Vdss） 60V

漏源电压(Vdss) 60V

导通电阻Rds On(Max) 8mΩ

功率(Max) 1.78W

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOP-8

阈值电压Vgs(th) 1.5V@250µA

漏极电流Idss -5.3A

FET类型 P+P沟道

漏源极电压（Vdss） -30V

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 5.3A

导通电阻Rds On(Max) 60mΩ

功率(Max) 1.5W

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOP-8

阈值电压Vgs(th) 1.6V@250µA

漏极电流Idss 25A

FET类型 N沟道

漏源极电压（Vdss） 60V

漏源电压(Vdss) 60V

导通电阻Rds On(Max) 35mΩ

功率(Max) 35W

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 TO-252

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

晶体管类型 PNP

Vce饱和压降(Max) 800mV

DC电流增益(hFE)(Min&Range) 10

集电极电流Ic(Max) 10000mA

集射极击穿电压Vce(Max) 100V

功率(Max) 1.5W

跃迁频率 90MHz

工作温度(Tj) 175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-669,LFPAK,Power-SO8)

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

晶体管类型 PNP

Vce饱和压降(Max) 360mV

DC电流增益(hFE)(Min&Range) 10

集电极电流Ic(Max) 3000mA

集射极击穿电压Vce(Max) 100V

功率(Max) 1.25W

跃迁频率 125MHz

工作温度(Tj) 175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-669,LFPAK,Power-SO8)

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

晶体管类型 NPN+NPN

Vce饱和压降(Max) 100mV

DC电流增益(hFE)(Min&Range) 100

集电极电流Ic(Max) 100mA

集射极击穿电压Vce(Max) 50V

功率(Max) 600mW

跃迁频率 -

工作温度(Tj) 150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-457-6

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

晶体管类型 NPN+PNP

Vce饱和压降(Max) 150mV

DC电流增益(hFE)(Min&Range) 60

集电极电流Ic(Max) 100mA

集射极击穿电压Vce(Max) 50V

功率(Max) 600mW

跃迁频率 180MHz

工作温度(Tj) 150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-457-6

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

晶体管类型 NPN+PNP

Vce饱和压降(Max) 330mV

DC电流增益(hFE)(Min&Range) 10

集电极电流Ic(Max) 3000mA

集射极击穿电压Vce(Max) 100V

功率(Max) 1.25W

跃迁频率 140MHz

工作温度(Tj) 175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 LFPAK56-8