N- Enhancement Mode Field Effect Transistor
品牌：PJ
历史库存：150
历史单价：0.19250（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 900mV@250µA
FET类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 30V
连续漏极电流Id@25℃ 5.8A
导通电阻Rds On(Max) 27mΩ
栅极电荷(Qg)(Max) 10nC
输入电容(Ciss)(Max) 825pF
功率(Max) 1.4W
工作温度(Tj) 150°C
安装类型 表面贴装(SMT)
P沟道 VDS=-55V VGS=±20V ID=-74A
品牌：Infineon
历史库存：4744
历史单价：4.82613（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 4V@250µA
漏极电流Idss 74A
FET类型 P沟道
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 20毫欧@38A，10V
漏源极电压（Vdss） 55V
是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
零件状态 在售
漏源电压(Vdss) 55V
连续漏极电流Id@25℃ 74A
导通电阻Rds On(Max) 20mΩ
工作温度(Tj) -55°C~175°C
安装类型 通孔(THT)
封装/外壳 SOT78，TO-220AB,SC-46
P沟道 VDS=-100V VGS=±20V ID=-23A
历史库存：928
历史单价：3.14408（最新价格请咨询）
漏极电流Idss 23A
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 117毫欧@11A，10V
漏源极电压（Vdss） 100V
漏源电压(Vdss) 100V
导通电阻Rds On(Max) 117mΩ
工作温度(Tj) -55°C~150°C
2N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=8A 2通路
品牌：WINSOK
历史库存：2006
历史单价：0.70500（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 1.8V@250µA
漏极电流Idss 8A
FET类型 N+N沟道
漏源极电压（Vdss） 30V
功率(Max) 2W
封装/外壳 SOP-8
N沟道 VDS=60V VGS=±20V ID=60A
历史库存：360
历史单价：1.59300（最新价格请咨询）
漏极电流Idss 60A
漏源极电压（Vdss） 60V
漏源电压(Vdss) 60V
导通电阻Rds On(Max) 10mΩ
功率(Max) 20W
封装/外壳 TO-252
N沟道 VDS=100V VGS=±20V ID=15A
历史库存：200
历史单价：0.86800（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 1.5V@250µA
漏极电流Idss 15A
导通电阻Rds On(Max) 90mΩ
功率(Max) 40W
N沟道 VDS=100V VGS=±20V ID=7A
历史库存：500
历史单价：0.75600（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 2V@250µA
漏极电流Idss 7A
连续漏极电流Id@25℃ 7A
导通电阻Rds On(Max) 195mΩ
功率(Max) 1.25W
2N沟道 VDS=20V VGS=±12V ID=6A 2通路
历史库存：530
历史单价：0.42900（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 700mV@250µA
漏极电流Idss 6A
漏源极电压（Vdss） 20V
漏源电压(Vdss) 20V
2N沟道 VDS=60V VGS=±20V ID=6.5A 2通路
历史库存：3349
历史单价：0.77500（最新价格请咨询）
漏极电流Idss 6.5A
导通电阻Rds On(Max) 33mΩ
功率(Max) 2.5W
2P沟道 VDS=-30V VGS=±20V ID=-6.5A 2通路
历史库存：920
历史单价：0.91000（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 1V@250µA
漏极电流Idss -6.5A
FET类型 P+P沟道
漏源极电压（Vdss） -30V
功率(Max) 1.5W
